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poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo

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Sola ventaja de BeO AlN Al2O3 resistente

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Certificación
China Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd. certificaciones
China Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Todo el trato bien muy bueno con el producto del vendedor así como descripción muy según producto

—— *** Z de G

Gracias por ordenar, todo está muy bien. Gracias también servicio de entrega, el paquete vino muy rápidamente.

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Buen vendedor. Entrega rápida estupenda.

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poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo

poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo
poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo

Ampliación de imagen :  poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: YLT
Número de modelo: Microprocesador
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 100pcs
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Caja interior + fuera del cartón más la plataforma o el caso de madera en caso de necesidad
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente: 13Million PCS para el resistor del RF, 7Million PCS para el atenuador del RF
Contacto

poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo

descripción
Potencia: 10w Resistencia estándar: 50Ω
frecuencia: DC~3GHz Gama de temperaturas: -55~+150℃
Coeficiente de temperatura: ≤ 150ppm/℃ Material del substrato: 、 Al2O3 de AlN del、 de BeO
Alta luz:

sola resistencia de la ventaja de 10Watt 50ohm

,

Sola resistencia de la ventaja de DC3GHz

,

sola terminación de la ventaja de 4*4m m

Solo dc 3 4 * 4 de la C.C. 3G BeO AlN Al2O3 de la resistencia 50Ω 10w de la ventaja

 

CARACTERÍSTICAS

Tab Launch
Poder más elevado
Disipador de calor integrado
VSWR bajo
Instalación fácil
 
USOS
Redes móviles
Difusión
Amplificadores de poder más elevado
Aisladores
Militar
Instrumentación
 
额定功率 频率范围 最大驻波比 尺寸 产品型号
Potencia Frecuencia VSWR Dimensiones (milímetros) Modelo
(w) (Gigahertz) (Máximo) W L T H Yo TW 　
10 DC-18 1,40 1,27 2,54 0,38 1,3 4 0,8 RFR50-10T43701A
10 DC-18 1,40 2,5 1,5 0,635 1,5 1,5 0,4 RFR50-10T28802A
10 DC-14 1,30 2,5 2,5 0,4 1,3 4 0,4 RFR50N-10T41104A
20 DC-18 1,35 2,5 3 0,6 1,5 4 1 RFR50-20T0206A
10 DC-18 1,40 2,54 1,27 0,4 1,3 2 0,4 RFR50-10T43705A
20 DC-6 1,25 2,5 5 1 1,9 4 1 RFR50N-20T0308A
10 DC-6 1,20 3 4 1 1,9 4 1 RFR50-10T0607A
5 DC-3 1,20 4 3 1 1,9 4 1 RFR50-5T0606A
10 DC-3 1,20 4 4 1 1,9 4 1 RFR50-10T0707A
20 DC-18 1,35 5 2,5 0,6 1,5 4 1 RFR50-20T0416A

 

 

40 DC-6 1,30 6 4,7 1 1,9 6 1 RFR50-40T0901A
60 DC-4 1,25 6 5 1 1,9 6 1 RFR50-60T1003A
60 DC-6 1,25 6 6 1 1,9 6 1 RFR50-60T1106A
100 DC-4 1,20 6,35 6,35 1 1,9 6 1 RFR50-100T3304A
60 DC-10 1,25 7 3,7 1 1,9 6 1 RFR50-60T0503A
100 DC-6 1,25 9 6 1 1,9 6 1 RFR50-100T1201A
200 DC-5 1,20 9,5 6,35 1,5 2,4 5 1,4 RFR50-200T4712A
250 DC-2.5 1,20 9,5 9,5 1,5 N/A N/A N/A RFR50N-250T2024A
250 DC-3 1,20 10 10 1,5 2,4 6 1,4 RFR50-250T1602A
150 DC-10G 1,35 12,7 12,7 2 3,3 6 1,4 RFR50-150T2718A
400 DC-6 1,30 15 20 2 3,5 8 2,4 RFR50-400T6003A
300 DC-1 1,20 16 7 1,6 2,5 4 1 RFR50-300T6301A
1500 DC-650MGZ 1,20 30 40 3 4,1 8 6,4 RFR50-1500T6502A
 
poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo 0

 

 

poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo 1

 

poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo 2

 

 


 

 

 

FAQ de los terminales del microprocesador
Q1: Sobre precio
A1: El precio es negociable. Puede ser cambiado según su cantidad o paquete. Cuando usted está haciendo una investigación, por favor conozcamos la cantidad que usted quiere.
Q2: ¿Cómo podría conseguir una muestra?
A2: Si usted no puede comprar nuestro producto en su área local, enviaremos una muestra a usted. Le cargarán un precio de la muestra más todos
costes de envío relacionados. La carga de envío express depende de la cantidad de las muestras.
Q3: ¿Cuál es sus condiciones de pago?
A3: Para el primer orden, necesitamos el depósito, después podemos comenzar las mercancías de la producción para usted.
Después de que tengamos buena relación y nos conozcamos mejor, usted puede pagarnos antes del envío y de ningún depósito de la necesidad.

Q4: Sobre el OEM:

  • A4: Recepción, usted puede enviar su propio diseño de producto de cristal y LOGOTIPO, podemos abrir el nuevos molde e impresión o grabar en relieve cualquier LOGOTIPO para usted.

  • Q5: Sobre el pago o la otra pregunta:

    A4: Envíeme por correo electrónico por favor o charle conmigo en TradeManager directamente.

etiqueta:

Al2O3 Chip Terminations plomado,

terminación del microprocesador de 150ppm/C DC 3GHz,

Terminación de la ventaja RFR50

Contacto
Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd.

Persona de Contacto: Amy Long

Teléfono: +8615113599205

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

Chip Terminations

resistencia 0.5*1m m del electrodo de 50ohm 10w DC 30GHz BeO AlN Al2O3

Ohmio 6.35*6.5m m de la terminación 50 del ODM 100W DC 4GHz RF

resistencia 4*4m m RF del electrodo de 20W DC3GHz terminación de 50 ohmios

Terminación de la ventaja

5 vatios DC 3GHz VSWR Chip Lead Termination For Instrumentation 1,20

Sola resistencia 9.5*6.35m m de la ventaja de Tab Launch 200W DC 4GHz

Solo OEM de la resistencia de la ventaja de DC 3GHz 6.35*9.5m m VSWR 1,25

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