resistencia 0.5*1m m del electrodo de 50ohm 10w DC 30GHz BeO AlN Al2O3

 
gigahertz BeO AlN Al2O3 0,5 * 1 de dc 30 de la resistencia 50Ω 10w del electrodo
 

• (Resistencia estándar): 50Ω
• (Material del substrato): BeO, AlN, Al2O3
• (Tolerancia de la resistencia): ± el 5% (defecto); el ±2%; el ±1%
• (Potencia): 5~500W
• (Gama de temperaturas): - 55~+150℃
• (Coeficiente de temperatura): ≤ 150ppm/℃
• (RoHS obediente)

(Podemos proporcionar el producto modificado para requisitos particulares según el requisito de clientes, tal como resistencia y configuración. )

 
FAQ de los terminales del microprocesador
Q1: ¿Cuándo puedo conseguir el perfil de compañía, el precio y la información de producto?
A4: Generalmente le ofrecemos con estos la información dentro 1 hora después de que conseguimos su investigación.
Q5: ¿Cómo podría conseguir una muestra?
A5: Si usted no puede comprar nuestro producto en su área local, enviaremos una muestra a usted. Le cargarán un precio de la muestra más todos
costes de envío relacionados. La carga de envío express depende de la cantidad de las muestras.
Q6: ¿Cuál es sus condiciones de pago?
A6: Para el primer orden, necesitamos el depósito, después podemos comenzar las mercancías de la producción para usted.
Después de que tengamos buena relación y nos conozcamos mejor, usted puede pagarnos antes del envío y de ningún depósito de la necesidad.