China Chip Terminations

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  50ohm 2W DC-12GHz BeO Chip Terminación Arena 1.1*0.7mm Electrodo de oro

  Modelo:RFR50-2CT29701A

  Potencia nominal:2W

  Potencia máxima:20W (banda 200us, tarifa vacía el 10%)

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  50ohm 2W DC 12GHz BeO AlN Al2O3 Chip Resistor 1.1*0.7m m

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  RFR50 50ohm 40w DC 3GHz Chip Terminations 6*4.7m m

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  elemento resistente de 6.35*6.35m m 150w DC 4GHz Chip Terminations 1,20 VSWR

  Resistencia estándar:50Ω

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

  Potencia:150W

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  RoHS 1.5x3m m 8 OEM del ODM de DC 3GHz Chip Terminations del vatio

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  Resistencia de encargo 8.9*5.7m m del electrodo de 100W DC 3GHz

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  Ohmio 250w Chip Terminations de BeO AlN Al2O3 50 9.5mmx9.5m m

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  2.5x3m m 20w DC 12GHz Chip Terminations For Mobile Networks

  Resistencia estándar:50Ω

  Potencia:20w

  frecuencia:DC-12GHz

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  250 resistor 9.5*5.7m m de la microonda de la terminación de DC 2.7GHz RF del vatio

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  RFP250N50TC resistor 0.5x1m m de la terminación de DC 30GHz RF de 1 vatio

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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  resistencia 0.5*1m m del electrodo de 50ohm 10w DC 30GHz BeO AlN Al2O3

  Resistencia estándar:50Ω

  Material del substrato:、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

  Tolerancia de la resistencia:el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

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