20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio

Name: 20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio
Brand: YLT
SKU: Microprocesador
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (160 reviews)

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Certificación

China Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Todo el trato bien muy bueno con el producto del vendedor así como descripción muy según producto

—— *** Z de G

Gracias por ordenar, todo está muy bien. Gracias también servicio de entrega, el paquete vino muy rápidamente.

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20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio

Ampliación de imagen : 20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	YLT
Número de modelo:	Microprocesador

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	100PCS
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	Caja interior + fuera del cartón más la plataforma o el caso de madera en caso de necesidad
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente:	13Million PCS para el resistor del RF, 7Million PCS para el atenuador del RF

Contacto

20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio

descripción

Resistencia estándar:	50Ω	Material del substrato:	、 Al2O3 de AlN del、 de BeO
Tolerancia de la resistencia:	el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%	Potencia:	20W
Frecuencia:	DC1.8-2.2GHz	VSWR:	≤1.20
Alta luz:	resistencia del electrodo 2.2GHz , Resistencia del electrodo de DC 1.8GHz , 20 vatios Chip Termination 2*2.2m m

Dc 1,8 - 2.2GHz BeO AlN Al2O3 2 * 2,2 de Electorde Resisitance 50Ω 20w

1. Suministramos diversos componentes electrónicos y damos la bienvenida a su investigación

2. Recuperación de componentes electrónicos

3. ¡Mire sinceramente adelante a su cooperación!

Carga simulada del poder más elevado del resistor de la microonda de la terminación de la terminación 20watt 50ohm RF del reborde

El control usado y restaurado 100% de la resistencia de DC probó

COMPONENTES RESISTENTES DE MILITARY/INSTRUMENTATION

Características:

• DC 1.8-2.2 gigahertz

• 20 vatios

• BeO de cerámica

• No-nicrom resistente

Elemento

• VSWR bajo

• El 100% probado

(Chip Terminations)

额定功率	频率范围	最大驻波比	尺寸						产品型号
Potencia	Frecuencia	VSWR	Dimensiones (milímetros)						Modelo
(w)	(Gigahertz)	(Máximo)	W	L	H		B	C
2	DC-12	1,2	1,1	0,7	0,25	N/A	N/A	N/A	RFR50-2CT49701A
20	DC-18	1,35	1,27	2,54	0,38	0,8	0,6	N/A	RFR50-20CT43711A
8	DC-3	1,25	1,5	3	0,38	N/A	N/A	N/A	RFR50N-8CT15802A
20	DC1.8-2.2	1,20	2,2	2	0,4	N/A	N/A	N/A	RFR50-20CT21902A
20	DC-12	1,40	3	2,5	0,6	N/A	N/A	N/A	RFR50-20CT0215A
20	DC-3	1,40	4	4	1	0,8	N/A	N/A	RFR50N-20CT0706A
20	DC-18	1,35	5	2,5	0,6	0,9	0,5	N/A	RFR50-20CT0406A

80	DC-6	1,25	5	5	1	3	0,8	N/A	RFR50N-80CT5901A
40	DC-3	1,20	6	4,7	1	1,4	1	N/A	RFR50-40CT0906A
100	DC-4	1,20	6,35	6,35	1	1,4	1	N/A	RFR50-100CT3341A
150	DC-4	1,20	6,35	9,5	1,5	1,6	1	N/A	RFR50N-150CT4701A
50	DC-7.2	1,20	7	3,7	1	1,2	1	N/A	RFR50-50CT0502A
100	DC-3	1,20	8,9	5,7	1	1,5	1,1	N/A	RFR50N-100CT4503A
250	DC-2.7	1,25	9,5	5,7	1	2,4	N/A	N/A	RFR50N-250CT9404A
150	DC-2.5	1,20	9,5	6,35	1	1,4	1	N/A	RFR50N-150CT2323A
250	DC-3	1,20	9,5	9,5	1	3	1,1	N/A	RFR50N-250CT2525A

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FAQ de los terminales del microprocesador
Q1: ¿Cuándo puedo conseguir el perfil de compañía, el precio y la información de producto?
A4: Generalmente le ofrecemos con estos la información dentro 1 hora después de que conseguimos su investigación.
Q5: ¿Cómo podría conseguir una muestra?
A5: Si usted no puede comprar nuestro producto en su área local, enviaremos una muestra a usted. Le cargarán un precio de la muestra más todos
costes de envío relacionados. La carga de envío express depende de la cantidad de las muestras.
Q6: ¿Cuál es sus condiciones de pago?
A6: Para el primer orden, necesitamos el depósito, después podemos comenzar las mercancías de la producción para usted.
Después de que tengamos buena relación y nos conozcamos mejor, usted puede pagarnos antes del envío y de ningún depósito de la necesidad.

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Persona de Contacto: Amy Long

Teléfono: +8615113599205

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Resistencia estándar: 50Ω

Material del substrato: 、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

Tolerancia de la resistencia: el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

Potencia: 5~500W

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Resistencia estándar: 50Ω

Material del substrato: 、 Al2O3 de AlN del、 de BeO

Tolerancia de la resistencia: el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%

Potencia: 8W

20 resistencia BeO AlN Al2O3 2*2.2m m del electrodo de DC 1.8-2.2GHz del vatio

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